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Samsung exhibirá los primeros chips de 3nm basados ​​en GAA del mundo la próxima semana

Samsung exhibirá los primeros chips de 3nm basados ​​en GAA del mundo la próxima semana

Samsung exhibirá los primeros chips semiconductores de 3nm del mundo la próxima semana. Según se informa, la compañía programó una ceremonia de lanzamiento para el lunes 25 de julio. La empresa comenzó la producción en masa de semiconductores avanzados el 30 de junio.

Los chips de 3 nm de Samsung se basan en la arquitectura de transistores Gate-All-Around (GAA). Es una nueva arquitectura de chip que brinda mejoras de rendimiento y potencia en comparación con la arquitectura FinFET (transistor de efecto de campo Fin) que emplean las soluciones actuales. También permite una huella más pequeña de los procesadores.

La empresa coreana está suministrando la producción inicial de sus soluciones de 3nm a una empresa china que fabrica procesadores para la minería de criptomonedas. Sin embargo, la empresa no cuenta con él como cliente a largo plazo debido a la naturaleza de la industria con la que está asociada. Samsung estaría buscando incorporar algunos clientes confiables, como los fabricantes de teléfonos inteligentes.

Sin embargo, según los informes, está luchando con la tasa de rendimiento de sus chips de 3 nm. La mayoría de los chips avanzados que fabrica la empresa no cumplen con la calidad requerida. Esto evita que produzca un gran volumen de chips en poco tiempo, algo que los fabricantes de teléfonos inteligentes suelen exigir. El gigante coreano ahora está trabajando para mejorar la tasa de rendimiento (se dice que 80 a 90 por ciento es ideal) al mismo tiempo que mejora su tecnología de chips. La compañía planea comenzar la producción de soluciones de 3nm de segunda generación a principios del próximo año. Esos pueden ser para teléfonos inteligentes.

TSMC, que históricamente ha liderado a Samsung en el espacio de fabricación por contrato, también se está preparando para comenzar la producción en masa de 3nm a finales de este año. Pero la compañía se apega a la arquitectura FinFET por una generación más. Planea pasar a GAAFET con chips de 2nm en 2025.

Sin embargo, la tecnología de chips de la empresa taiwanesa ha sido históricamente superior a la de Samsung. Sus soluciones suelen ofrecer un mejor rendimiento general y son más eficientes energéticamente que las soluciones de la competencia de la empresa coreana. Los chips de TSMC también son mejores en la gestión térmica. Así que Samsung tiene su tarea recortada mientras busca cerrar la brecha con su archirrival.

Samsung aún tiene que dar lo mejor de sí mismo con los chips de 3nm

Samsung está fabricando el primer lote de sus chips de 3 nm en su fábrica de Hwaseong en Corea del Sur. Sin embargo, a medida que la empresa aumenta la producción, es probable que otras fábricas también se unan al trabajo. Quizás la empresa aún no haya utilizado su mejor equipo de fabricación de chips para soluciones de 3 nm. La fábrica de Pyeongtaek de la empresa alberga su mejor equipo de chips, mientras que el campus de Hwaseong se utiliza principalmente para el desarrollo de tecnologías de fabricación (a través de).

Es muy probable que la producción de 3 nm comience en la fábrica de Pyeongtaek una vez que Samsung mejore la tasa de rendimiento. Quizás la empresa fabrique aquí las soluciones de segunda generación. El tiempo dirá si la firma coreana finalmente puede desafiar a TSMC en tecnología de chips.

Fuente

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