Funcionarios de IBM y Samsung anunciaron en la conferencia IEDM de este año en San Francisco una colaboración en un nuevo diseño de chip que agrega transistores verticalmente en un chip. Como parte de su anuncio, sugirieron que sus transistores de efecto de campo de transporte vertical (VTFET) podrían duplicar la velocidad de los chips del procesador o, alternativamente, reducir la energía que usan hasta en un 85 por ciento.
Desde el comienzo de la tecnología digital, los chips de procesamiento se han hecho colocando pequeños transistores en un chip y conectándolos. Con el tiempo, los ingenieros han colocado cada vez más transistores en chips que se han mantenido aproximadamente del mismo tamaño, adhiriéndose, en general, a la Ley de Moore, que establece que la cantidad de transistores en un chip debería duplicarse cada año. Los ingenieros saben desde hace mucho tiempo que existen límites para la ley de Moore; con el tiempo, sería imposible agregar ni siquiera un transistor más, y mucho menos el doble del número que hay allí.
Entonces, los investigadores están buscando otras formas de hacer chips. Pero mientras tanto, los ingenieros continúan buscando formas de agregar más transistores a los chips convencionales. En su anuncio, IBM y Samsung han explicado que están tomando medidas para comenzar a diseñar chips que puedan expandirse verticalmente. En un sentido práctico, la mudanza fue inevitable. Como analogía, cuando las ciudades crecieron demasiado para ser eficientes, los ingenieros comenzaron a hacer edificios más altos, esencialmente convirtiendo ciudades en 2D en ciudades en 3D. Los funcionarios e ingenieros de IBM y Samsung (y sin duda otras corporaciones, como Intel) sugieren que ahora es el momento de comenzar a hacer lo mismo con los microprocesadores.
El diseño de VTFET de IBM y Samsung aún se encuentra en una etapa de desarrollo: no hay chips para instalar en las computadoras reales, pero marca el comienzo de una nueva era en la informática cuando las computadoras y otros dispositivos digitales como teléfonos y tabletas no solo funcionará más rápido, sino que utilizará mucha menos energía, lo que hará que las baterías duren mucho más. Esto se debe a que un diseño vertical permitirá acortar el camino que los electrones necesitarán viajar al enviar señales entre transistores.
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Citación: IBM y Samsung se unen para diseñar transistores de efecto de campo de transporte vertical (2021, 16 de diciembre) recuperado el 24 de diciembre de 2021 de https://techxplore.com/news/2021-12-ibm-samsung-team-vertical-field.html
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