Amplificador de potencia de alta velocidad y alta capacidad para redes de última generación

NEC Corporation ha desarrollado un amplificador de potencia que servirá como un dispositivo clave para acceso móvil y equipos de comunicación inalámbrica fronthaul/backhaul para permitir comunicaciones de alta velocidad y alta capacidad para redes 5G Advanced y 6G. Este amplificador de potencia utiliza tecnología GaAs que se puede producir en masa y ha alcanzado la potencia de salida más alta del mundo de 10 mW en la banda de 150 GHz. Aprovechando esto, NEC tiene como objetivo acelerar tanto el desarrollo de equipos como la implementación social.

Se espera que 5G Advanced y 6G brinden comunicaciones de alta velocidad y alta capacidad de 100 Gbps, equivalente a 10 veces la velocidad del 5G actual. Esto se puede lograr de manera efectiva mediante el uso de la banda de subterahercios (100 a 300 GHz), que puede proporcionar un amplio ancho de banda de 10 GHz o más. En particular, se espera la comercialización temprana de la banda D (130 a 174,8 GHz), que está asignada internacionalmente para comunicaciones inalámbricas fijas.

NEC continúa avanzando en el desarrollo tecnológico aprovechando su conocimiento de las bandas de alta frecuencia cultivado a través del desarrollo y operación de equipos de radio para estaciones base 5G y PASOLINK, un sistema de comunicación por microondas ultracompacto que conecta estaciones base mediante comunicación inalámbrica.

El amplificador de potencia recientemente desarrollado utiliza un proceso de transistor de alta movilidad de electrones pseudomórfico (pHEMT) de arseniuro de galio (GaAs) de 0,1 μm disponible en el mercado. En comparación con CMOS y germanio de silicio (SiGe) utilizados para la banda de subterahercios, los pHEMT de GaAs tienen un voltaje de operación alto y costos iniciales más bajos para la producción en masa.

En términos de diseño de circuito, este amplificador de potencia elimina los factores que degradan el rendimiento en la banda de alta frecuencia y utiliza una configuración de red de adaptación de impedancia adecuada para una alta potencia de salida. Esto ha dado como resultado el logro de excelentes características de alta frecuencia entre 110 GHz y 150 GHz, así como la potencia de salida más alta del mundo para un pHEMT de GaAs.

Además de la realización de equipos de comunicación por radio de alto rendimiento y bajo costo por encima de 100 GHz, este amplificador de potencia acelerará la implementación social de 5G Advanced y 6G.

En el futuro, NEC continuará desarrollando tecnologías destinadas a lograr comunicaciones inalámbricas de alta velocidad, alta capacidad y rentables para 5G Advanced y 6G.

NEC anunciará más detalles sobre esta tecnología en la Conferencia temática de IEEE sobre amplificadores de potencia de RF/microondas para aplicaciones inalámbricas y de radio (PAWR2023), una conferencia internacional programada para celebrarse en Las Vegas, Nevada, EE. UU., a partir del 22 de enero de 2023.

Proporcionado por NEC Corporation