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Samsung tiene algunos anuncios importantes relacionados con la fundición programados para el próximo mes. La compañía planea presentar sus procesos mejorados de fabricación de chips de 3nm y 4nm en el Simposio 2023 sobre tecnología y circuitos VLSI. El evento está programado para realizarse entre el 11 y el 16 de junio en Kioto, Japón.
De acuerdo con la detalles del programa publicado por los organizadores del evento de seis días, Samsung anunciará su proceso de 3nm de segunda generación (SF3) durante la conferencia. La empresa está empleando la tecnología de fabricación GAA (Gate-All-Around) en sus chips de 3nm. La solución de segunda generación utilizará transistores de efecto de campo de canal múltiple (MBCFET) más avanzados con optimizaciones adicionales sobre el proceso actual (SF3E).
En comparación con los chips EUV (Ultravioleta Extremo) de 4 nm actuales de Samsung (también conocido como SF4), que emplean la tecnología de fabricación FinFET, los chips SF3 brindan una mejora del 22 por ciento en la velocidad y son un 34 por ciento más eficientes energéticamente. Estos chips también permiten un área lógica más pequeña, y la compañía afirma una disminución del 21 por ciento en el tamaño del chip. Sin embargo, la firma coreana no detalla la diferencia en velocidad y eficiencia energética entre los chips SF3 y SF3E de 3nm.
Además, Samsung presentará sus chips de 4nm más actualizados (SF4X) en el VLSI Symposium 2023 el próximo mes. Aparentemente, estos chips estarán destinados a la aplicación HPC (Computación de alto rendimiento). Las soluciones de próxima generación brindarán un aumento del diez por ciento en el rendimiento y, al mismo tiempo, reducirán el consumo de energía en un 23 por ciento. “Este SF4X
La tecnología proporciona enormes beneficios de rendimiento para diversas aplicaciones en un amplio rango de operación”, afirma el documento oficial.
Samsung espera que sus chips mejorados de 3 nm ayuden a aumentar la participación en la fundición
Samsung está desesperado por mejorar su participación en la fundición. El gigante coreano es la segunda fundición de semiconductores más grande del mundo, pero solo tiene una participación de mercado de alrededor del 15 por ciento. En comparación, su archirrival TSMC captura alrededor del 60 por ciento del mercado. La compañía espera que los chips de 3nm mejoren su participación. Está apostando por el uso de la tecnología GAA más avanzada para atraer a los clientes a su lado. TSMC se apega a la arquitectura FinFET por una generación más. Planea cambiar a la tecnología GAA con soluciones de 2 nm en 2025.
Ya hay informes de que Samsung ha obtenido pedidos de algunos de los chips Snapdragon 8 Gen 4 de Qualcomm para el próximo año. Google también puede quedarse con Samsung para el Tensor G4 después de considerar brevemente un cambio a TSMC. Así que las primeras señales parecen bastante prometedoras para el gigante coreano. Pero solo el tiempo dirá si puede acercarse a su rival taiwanés en el negocio de fundición de semiconductores en los próximos años.
